MTB50P03HDL、MTB50P03HDLG、MTB50P03HDLT4G对比区别
型号 MTB50P03HDL MTB50P03HDLG MTB50P03HDLT4G
描述 功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK-50A,-30V,P沟道功率MOSFETON SEMICONDUCTOR MTB50P03HDLT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
额定电流 -50.0 A -50.0 A -50.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 25.0 mΩ 25.0 mΩ 0.025 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 125 W 2.5W (Ta), 125W (Tc) 125 W
阈值电压 - - 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V - ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 50.0 A
上升时间 340 ns 340 ns 340 ns
输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
下降时间 218 ns 218 ns 218 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125000 mW 2.5W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
输入电容 3.50 nF 4.90 nF -
栅电荷 100 nC 100 nC -
长度 - - 10.29 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99