MTB50P03HDLG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -50.0 A
漏源极电阻 25.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 125W Tc
输入电容 4.90 nF
栅电荷 100 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 340 ns
输入电容Ciss 4900pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 218 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MTB50P03HDLG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MTB50P03HDLG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTB50P03HDLG | ON Semiconductor 安森美 | -50A,-30V,P沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号MTB50P03HDLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTB50P03HDLG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-263-3 P-Channel 30V 50A 25mohms 4.9nF | 当前型号 | -50A,-30V,P沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： MTB50P03HDLT4G 品牌： 安森美 封装： TO-263-3 P-Channel 30V 50A 25mohms | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MTB50P03HDLT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK | MTB50P03HDLG和MTB50P03HDLT4G的区别 |
| 型号： MTB50P03HDLT4 品牌： 安森美 封装： TO-263-3 P-Channel 30V 50A 25mΩ | 类似代替 | 功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK | MTB50P03HDLG和MTB50P03HDLT4的区别 |
| 型号： MTB50P03HDL 品牌： 安森美 封装： D2PAK P-Channel 30V 50A 25mΩ 3.5nF | 类似代替 | 功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK | MTB50P03HDLG和MTB50P03HDL的区别 |