BC858C-7-F、BC858C-TP、BC859CLT1对比区别

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型号 BC858C-7-F BC858C-TP BC859CLT1

描述 DIODES INC.  BC858C-7-F  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFESOT-23 PNP 30V 0.1A通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 310 mW 300 mW

针脚数 3 - -

耗散功率 300 mW - 225 mW

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V - 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW - 300 mW

直流电流增益(hFE) 600 - -

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -100 mA

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 3.05 mm - 2.9 mm

宽度 1.4 mm - 1.3 mm

高度 1 mm - 0.94 mm

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

ECCN代码 EAR99 - -