BC858C-TP
数据手册.pdf
Micro Commercial Components
美微科
电子元器件分类
BC858C-TP中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BC858C-TP引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC858C-TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC858C-TP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： | 当前型号 | SOT-23 PNP 30V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC858C 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 30V 100mA 310mW | 类似代替 | 开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications | BC858C-TP和BC858C的区别 |
| 型号： BC858CLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC858CLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE | BC858C-TP和BC858CLT1G的区别 |
| 型号： BC858C-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 350mW | 功能相似 | DIODES INC. BC858C-7-F 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE | BC858C-TP和BC858C-7-F的区别 |
