BC858C-7-F
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
BC858C-7-F中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 600
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 国防, 电源管理, 工业, 军用与航空
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC858C-7-F引脚图与封装图 
BC858C-7-F引脚图
BC858C-7-F封装图
BC858C-7-F封装焊盘图
在线购买BC858C-7-F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC858C-7-F | Diodes 美台 | DIODES INC. BC858C-7-F 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE | 搜索库存 |
替代型号BC858C-7-F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC858C-7-F 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-23-3 PNP 350mW | 当前型号 | DIODES INC. BC858C-7-F 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE | 当前型号 |
| 型号： BC858CW-7 品牌： 美台 封装： SOT-323 PNP | 类似代替 | Transistors BJT - Single | BC858C-7-F和BC858CW-7的区别 |
| 型号： BC858CW-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 PNP 200mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR | BC858C-7-F和BC858CW-7-F的区别 |
| 型号： BC858C 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | PNP Small Signal Transistor 310mW | BC858C-7-F和BC858C的区别 |