CSD18510Q5B、CSD18510Q5BT、CSD18509Q5B对比区别

高亮显示差异参数

型号 CSD18510Q5B CSD18510Q5BT CSD18509Q5B

描述 40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、0.96mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 15040V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、0.96mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 15040V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD18509Q5B

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 8-VSON-CLIP VSON-CLIP VSON-CLIP

极性 - - N-CH

耗散功率 3.1 W 3.1 W 3.1 W

漏源极电压(Vds) 40 V - 40 V

连续漏极电流(Ids) - - 100A

上升时间 17 ns 17 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 8770pF @20V(Vds) 8770pF @20V(Vds) 13900pF @20V(Vds)

下降时间 15 ns 15 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3100 mW 3100 mW 3.1W (Ta), 195W (Tc)

封装 8-VSON-CLIP VSON-CLIP VSON-CLIP

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR