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CSD18510Q5B

CSD18510Q5B

TI(德州仪器) 电子元器件分类

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、0.96mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

表面贴装型 N 通道 300A(Tc) 156W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)


得捷:
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON


立创商城:
CSD18510Q5B


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 0.96 mOhm


贸泽:
MOSFET 40V, N ch NexFET MOSFETG , single SON5x6, 0.96mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


CSD18510Q5B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.1 W

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 8770pF @20VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 8-VSON-CLIP

外形尺寸

封装 8-VSON-CLIP

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

CSD18510Q5B引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CSD18510Q5B TI 德州仪器 40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、0.96mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18510Q5B

品牌: TI 德州仪器

封装:

当前型号

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当前型号

型号: CSD18510Q5BT

品牌: 德州仪器

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完全替代

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、0.96mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

CSD18510Q5B和CSD18510Q5BT的区别