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TIP101、TIP101G、2N5886G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP101 TIP101G 2N5886G

描述 塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium−Power Complementary Silicon TransistorsON SEMICONDUCTOR  TIP101G  达林顿双极晶体管NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-204-2

引脚数 - 3 2

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 8.00 A 8.00 A 25.0 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2 W 80 W 200 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 8A 25A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @3A, 4V 1000 @3A, 4V 20 @10A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 20000 20000 100

额定功率(Max) 2 W 2 W 200 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

频率 - - 4 MHz

额定功率 - - 200 W

针脚数 - 3 2

热阻 - - 0.875℃/W (RθJC)

直流电流增益(hFE) - 20 4

耗散功率(Max) - 2000 mW 200000 mW

长度 10.28 mm 10.53 mm 39.37 mm

宽度 4.82 mm 4.83 mm 26.67 mm

高度 9.28 mm 15.75 mm 8.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-204-2

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tray

最小包装 50 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99 EAR99