频率 4 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 25.0 A
额定功率 200 W
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 0.875℃/W RθJC
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 20 @10A, 4V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 4
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2N5886G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 功率晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 2N5886G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-3 NPN 80V 25A 200000mW | 当前型号 | NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 | |
型号: 2N5885G 品牌: 安森美 封装: TO-3 NPN 60V 600mA 200000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N5885G. 双极晶体管 | 2N5886G和2N5885G的区别 | |
型号: TIP100G 品牌: 安森美 封装: TO-220-3 NPN 60V 8A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP100G 达林顿双极晶体管 | 2N5886G和TIP100G的区别 | |
型号: TIP101G 品牌: 安森美 封装: TO-220-3 NPN 80V 8A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP101G 达林顿双极晶体管 | 2N5886G和TIP101G的区别 |