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THS4221DR、THS4221DRG4、THS4221D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4221DR THS4221DRG4 THS4221D

描述 高速运算放大器 Low-Distortion High Speed R-to-R OutputOp Amp Single Volt Fdbk R-R O/P ±7.5V/15V 8Pin SOIC T/RTexas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 15.0 V

输出电流 - - 95mA @5V

供电电流 14 mA 14 mA 14 mA

电路数 1 1 1

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

耗散功率 1020 mW - 1020 mW

共模抑制比 - - 74 dB

输入补偿漂移 - - 20.0 µV/K

带宽 120 MHz 120 MHz 230 MHz

转换速率 990 V/μs 990 V/μs 990 V/μs

增益频宽积 120 MHz 120 MHz 120 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 900 nA 900 nA 900 nA

可用通道 - - S, D

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

3dB带宽 230 MHz 230 MHz 230 MHz

增益带宽 120 MHz - 120 MHz

耗散功率(Max) - - 1020 mW

共模抑制比(Min) - - 74 dB

电源电压(Max) - - 7.5 V

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15