供电电流 14 mA
电路数 1
耗散功率 1020 mW
带宽 120 MHz
转换速率 990 V/μs
增益频宽积 120 MHz
输入补偿电压 3 mV
输入偏置电流 900 nA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 230 MHz
增益带宽 120 MHz
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
THS4221DR引脚图
THS4221DR封装图
THS4221DR封装焊盘图
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: THS4221DR 品牌: TI 德州仪器 封装: SOIC 8Pin | 当前型号 | 高速运算放大器 Low-Distortion High Speed R-to-R Output | 当前型号 | |
型号: THS4221DRG4 品牌: 德州仪器 封装: SOP 8Pin 990V/us | 完全替代 | Op Amp Single Volt Fdbk R-R O/P ±7.5V/15V 8Pin SOIC T/R | THS4221DR和THS4221DRG4的区别 | |
型号: THS4221D 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 230MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | Texas Instruments | THS4221DR和THS4221D的区别 | |
型号: THS4221DG4 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 230MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | 低失真,高速,轨到轨输出运算放大器 LOW-DISTORTION, HIGH-SPEED, RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS | THS4221DR和THS4221DG4的区别 |