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THS4221D

THS4221D

TI(德州仪器) 主动器件

Texas Instruments

高速


得捷:
IC VOLTAGE FEEDBACK 1 CIRC 8SOIC


立创商城:
THS4221D


德州仪器TI:
Single & DualTHS4222 , Low-Distortion High-Speed Rail-to-Rail Output Operational Amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 THS4221D, 120MHz增益带宽积, 3 → 12 V单电源电压, 8引脚 SOIC封装


贸泽:
高速运算放大器 Low-Distortion High Speed R-to-R Output


e络盟:
运算放大器, 单路, 1个放大器, 230 MHz, 990 V/µs, ± 1.35V 至 ± 7.5V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
OP Amp Single Volt Fdbk R-R O/P ±7.5V/15V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
OP Amp Single Volt Fdbk R-R O/P ±7.5V/15V 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Rail to RailLow-Distortion High-Speed Rail-to-Rail Output Operational Amplifier OP Amp Single Volt Fdbk R-R O/P ±7.5V/15V 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Op Amp Single High Speed Amplifier R-R O/P ±7.5V/15V 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  THS4221D  Operational Amplifier, Single, 230 MHz, 1, 990 V/ s, 1.35V to 7.5V, SOIC, 8


力源芯城:
低噪声高速运放


Win Source:
IC OPAMP VFB 120MHZ RRO 8SOIC


THS4221D中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 15.0 V

输出电流 95mA @5V

供电电流 14 mA

电路数 1

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 1020 mW

共模抑制比 74 dB

输入补偿漂移 20.0 µV/K

带宽 230 MHz

转换速率 990 V/μs

增益频宽积 120 MHz

输入补偿电压 3 mV

输入偏置电流 900 nA

可用通道 S, D

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

3dB带宽 230 MHz

增益带宽 120 MHz

耗散功率Max 1020 mW

共模抑制比Min 74 dB

电源电压Max 7.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

THS4221D引脚图与封装图
THS4221D引脚图

THS4221D引脚图

THS4221D封装图

THS4221D封装图

THS4221D封装焊盘图

THS4221D封装焊盘图

在线购买THS4221D
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替代型号THS4221D
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型号: THS4221D

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 230MHz 1Channel 8Pin

当前型号

Texas Instruments

当前型号

型号: THS4221DR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 8Pin

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品牌: 德州仪器

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