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BF493S、BF821,215、SMMBTA92LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF493S BF821,215 SMMBTA92LT3G

描述 高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistor PNP SiliconNexperia BF821,215 , PNP 晶体管, 50 mA, Vce=300 V, HFE:50, 60 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 TO-226-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -350 V - -

额定电流 -500 mA - -

极性 PNP - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 10V 50 @25mA, 20V 25 @30mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 250 mW 300 mW

频率 - 60 MHz 50 MHz

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 250 mW 0.3 W

直流电流增益(hFE) - 50 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 300 mW

封装 TO-226-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 2.64 mm

高度 - 1 mm 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - EAR99