BF493S中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -350 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 10V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BF493S引脚图与封装图
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在线购买BF493S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BF493S | ON Semiconductor 安森美 | 高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistor PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号BF493S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF493S 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -350V -500mA | 当前型号 | 高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistor PNP Silicon | 当前型号 |
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