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SMMBTA92LT3G

SMMBTA92LT3G

数据手册.pdf

高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

高电压,

### 标准

带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT23-3


立创商城:
SMMBTA92LT3G


欧时:
ON Semiconductor SMMBTA92LT3G , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


艾睿:
ON Semiconductor brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their PNP SMMBTA92LT3G general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Allied Electronics:
Transistor PNP 300V 500mA Automotive SOT


Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


SMMBTA92LT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMMBTA92LT3G引脚图与封装图
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在线购买SMMBTA92LT3G
型号 制造商 描述 购买
SMMBTA92LT3G ON Semiconductor 安森美 高电压晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 搜索库存
替代型号SMMBTA92LT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMMBTA92LT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23-3 PNP 300mW

当前型号

高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

当前型号

型号: MMBTA92LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -300V -500mA 0.3W

完全替代

高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon

SMMBTA92LT3G和MMBTA92LT3G的区别

型号: MMBTA92LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -300V -500mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA92LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 50 hFE

SMMBTA92LT3G和MMBTA92LT1G的区别

型号: SMMBTA92LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP 300mW

类似代替

ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

SMMBTA92LT3G和SMMBTA92LT1G的区别