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DTA114EET1、DTA114EET1G、DDTD123YC-13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA114EET1 DTA114EET1G DDTD123YC-13

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsPNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SC-75-3 SC-75-3 -

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -100 mA 70.0 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电压 - ≥300 mV -

极性 - PNP -

耗散功率 0.2 W 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 35 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 35 -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 338 mW -

长度 - 1.65 mm -

宽度 - 0.9 mm -

高度 - 0.9 mm -

封装 SC-75-3 SC-75-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -