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DTA114EET1G

DTA114EET1G

数据手册.pdf

PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

双电阻器数字 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75


立创商城:
PNP 双极数字晶体管 BRT


欧时:
ON Semiconductor DTA114EET1G PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416 SC-75封装


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率


艾睿:
Ensure the proper transistor is used within your digital processing unit by using ON Semiconductor&s;s PNP DTA114EET1G digital transistor. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 35@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@0.3mA@10mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It is made in a single configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-416 T/R


富昌:
DTA Series 50 V 100 mA 10 kOhm PNP Silicon Bias Resistor Transistor - SC-75


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-416 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-416 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  DTA114EET1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Ratio, SC-75


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75


DeviceMart:
TRANS PNP 50V 10/10K SC75-3


DTA114EET1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 70.0 mA

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 ≥300 mV

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 35

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

长度 1.65 mm

宽度 0.9 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-75-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DTA114EET1G引脚图与封装图
DTA114EET1G引脚图

DTA114EET1G引脚图

在线购买DTA114EET1G
型号 制造商 描述 购买
DTA114EET1G ON Semiconductor 安森美 PNP 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 搜索库存
替代型号DTA114EET1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DTA114EET1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SC-75 PNP -50V 70mA 300mW

当前型号

PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

当前型号

型号: DTA114EET1

品牌: 安森美

封装: SC-75 -50V -100mA 300mW

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品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-416 PNP

功能相似

ROHM  DTA114EEFRATL  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416

DTA114EET1G和DTA114EEFRATL的区别