额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
耗散功率 0.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
封装 SC-75-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DTA114EET1 | ON Semiconductor 安森美 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DTA114EET1 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SC-75 -50V -100mA 300mW | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | 当前型号 | |
型号: DTA114EET1G 品牌: 安森美 封装: SC-75 PNP -50V 70mA 300mW | 类似代替 | PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | DTA114EET1和DTA114EET1G的区别 | |
型号: MUN5114DW1T1 品牌: 摩托罗拉 封装: | 功能相似 | Dual Bias Resistor Transistors | DTA114EET1和MUN5114DW1T1的区别 | |
型号: DTA114EE 品牌: 摩托罗拉 封装: | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-75, 3 PIN | DTA114EET1和DTA114EE的区别 |