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BD682STU、BD682T、BD682G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD682STU BD682T BD682G

描述 ON Semiconductor BD682STU PNP 达林顿晶体管对, -4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-126封装塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP DarlingtonsON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

额定电压(DC) - -100 V -100 V

额定电流 - -4.00 A 4.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

极性 - PNP PNP, P-Channel

耗散功率 14 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 - 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) 14 W 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) - - 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 14 W - 40000 mW

长度 8 mm 7.74 mm 7.74 mm

宽度 3.25 mm 2.66 mm 2.66 mm

高度 11 mm 11.04 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99