BD682T中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V
额定功率Max 40 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BD682T引脚图与封装图
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在线购买BD682T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD682T | ON Semiconductor 安森美 | 塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons | 搜索库存 |
替代型号BD682T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD682T 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-225AA PNP -100V -4A | 当前型号 | 塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons | 当前型号 |
| 型号： BD682STU 品牌： 安森美 封装： TO-126 14000mW | 类似代替 | ON Semiconductor BD682STU PNP 达林顿晶体管对, -4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-126封装 | BD682T和BD682STU的区别 |
| 型号： BD682S 品牌： 安森美 封装： TO-126-3 14000mW | 类似代替 | Trans Darlington PNP 100V 4A 14000mW 3Pin3+Tab TO-126 Bag | BD682T和BD682S的区别 |
| 型号： BD682 品牌： 意法半导体 封装： TO-225AA -100V -4A 40000mW | 功能相似 | BD6xxx 系列 PNP 80 V 4 A 互补功率达林顿晶体管 - SOT-32 | BD682T和BD682的区别 |