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BD682G

BD682G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE

The is a PNP medium-power Darlington Transistor can be used as output device in complementary general-purpose amplifier applications.

.
Monolithic construction
.
Complementary with BD681

得捷:
TRANS PNP DARL 100V 4A TO126


欧时:
BIP C77 PNP 4A 100V


立创商城:
4.0 A，100 V，PNP 达林顿双极功率晶体管


贸泽:
Darlington Transistors 4A 100V 40W PNP


e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE


艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


安富利:
Trans Darlington PNP 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Box


TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225


Verical:
Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BD682G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE


Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA


BD682G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-225-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD682G引脚图与封装图
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在线购买BD682G
型号 制造商 描述 购买
BD682G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE 搜索库存
替代型号BD682G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BD682G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-225-3 PNP -100V 4A 40000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE

当前型号

型号： TIP32CG

品牌： 安森美

封装： TO-220AB PNP -100V -3A 2000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  TIP32CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE

BD682G和TIP32CG的区别

型号： TIP107G

品牌： 安森美

封装： TO-220-3 PNP -100V -8A 2000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  TIP107G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 2 W, 8 A, 20 hFE

BD682G和TIP107G的区别

型号： TIP127G

品牌： 安森美

封装： TO-220-3 PNP -100V -5A 2000mW

类似代替

PNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

BD682G和TIP127G的区别