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BSS138LT1、BSS138LT3G、BSS138-TP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138LT1 BSS138LT3G BSS138-TP

描述 小信号N沟道SOT23封装场效应管ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷N沟道 50V 220mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

漏源极电阻 3.50 Ω 5.6 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 225mW (Ta) 225 mW 0.35 W

输入电容 50.0 pF 50.0 pF -

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

漏源击穿电压 50.0 V 50.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 200 mA 200 mA 0.22A

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 27pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 225 mW 350 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 500 mV -

额定功率(Max) - 225 mW -

正向电压(Max) - - 1.4 V

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -