BSS138LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 200 mA
漏源极电阻 3.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 225mW Ta
输入电容 50.0 pF
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSS138LT1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSS138LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS138LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF | 当前型号 | 小信号N沟道SOT23封装场效应管 | 当前型号 |
| 型号： BSS138LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BSS138LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V | BSS138LT1和BSS138LT1G的区别 |
| 型号： BSS138LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BSS138LT3G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷 | BSS138LT1和BSS138LT3G的区别 |
| 型号： BSS138 品牌： 安森美 封装： SOT-23/SC-59 | 类似代替 | BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿 | BSS138LT1和BSS138的区别 |