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BSS138-TP

BSS138-TP

数据手册.pdf

N沟道 50V 220mA

N-Channel 50V 220mA 350mW Surface Mount SOT-23


得捷:
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23


立创商城:
N沟道 50V 220mA


艾睿:
This BSS138-TP power MOSFET from Micro Commercial Components can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 350 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R


BSS138-TP中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.35 W

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 0.22A

正向电压Max 1.4 V

输入电容Ciss 27pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BSS138-TP引脚图与封装图
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在线购买BSS138-TP
型号 制造商 描述 购买
BSS138-TP Micro Commercial Components 美微科 N沟道 50V 220mA 搜索库存
替代型号BSS138-TP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BSS138-TP

品牌： Micro Commercial Components 美微科

封装： SOT-23 N-CH 50V 0.22A

当前型号

N沟道 50V 220mA

当前型号

型号： BSS138LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

BSS138-TP和BSS138LT1G的区别

型号： BSS138LT3G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷

BSS138-TP和BSS138LT3G的区别

型号： BSS138

品牌： 安森美

封装： SOT-23/SC-59

功能相似

BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿

BSS138-TP和BSS138的区别