CSD19538Q2、CSD19538Q3A、CSD19537Q3对比区别

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型号 CSD19538Q2 CSD19538Q3A CSD19537Q3

描述 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON2x2、59mΩ 6-WSON -55 to 150100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、61mΩ 8-VSONP -55 to 150CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 8 8

封装 WSON-6 VSONP-8 VSON-Clip-8

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 61 mΩ -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 2.5 W 2.8 W 2.8 W

阈值电压 - 3.2 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -

连续漏极电流(Ids) - 4.9A 50A

上升时间 3 ns 3 ns 3 ns

输入电容(Ciss) 454pF @50V(Vds) 454pF @50V(Vds) 1680pF @50V(Vds)

下降时间 2 ns 2 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) 2.8W (Ta), 23W (Tc) 2.8W (Ta), 83W (Tc)

长度 - 3.15 mm 3.3 mm

宽度 - 3 mm 3.3 mm

高度 - 0.9 mm 1 mm

封装 WSON-6 VSONP-8 VSON-Clip-8

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -