通道数 1
漏源极电阻 61 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
阈值电压 3.2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 4.9A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 454pF @50VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 23W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSONP-8
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
高度 0.9 mm
封装 VSONP-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD19538Q3A | TI 德州仪器 | 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、61mΩ 8-VSONP -55 to 150 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD19538Q3A 品牌： TI 德州仪器 封装： VSONP-8 N-CH 100V 4.9A | 当前型号 | 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、61mΩ 8-VSONP -55 to 150 | 当前型号 |
| 型号： CSD19538Q3AT 品牌： 德州仪器 封装： SON N-Channel 100V 4.9A | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS CSD19538Q3AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.2 V 新 | CSD19538Q3A和CSD19538Q3AT的区别 |
| 型号： CSD19537Q3 品牌： 德州仪器 封装： VSON-8 N-CH 100V 50A | 功能相似 | CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET | CSD19538Q3A和CSD19537Q3的区别 |
| 型号： CSD19538Q2 品牌： 德州仪器 封装： N-CH 100V | 功能相似 | 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON2x2、59mΩ 6-WSON -55 to 150 | CSD19538Q3A和CSD19538Q2的区别 |
