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CSD18504KCS、PSMN8R0-40PS、CSD18503KCS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD18504KCS PSMN8R0-40PS CSD18503KCS

描述 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETNXP  PSMN8R0-40PS  晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 40 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET...

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) NXP (恩智浦) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0055 Ω 6.2 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 93 W 86 W 188 W

阈值电压 1.9 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 100A 77A 100A

上升时间 5.2 ns - 5.3 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @20V(Vds) 1262pF @12V(Vds) 3150pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 93 W - -

下降时间 4.2 ns - 6.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 115W (Tc) 86 W 188W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

长度 - 10.3 mm 10.67 mm

宽度 - 4.7 mm 4.7 mm

高度 - 16 mm 16.51 mm

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Unknown 正在供货

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -