极性 N-CH
耗散功率 188 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 5.3 ns
输入电容Ciss 3150pF @20VVds
下降时间 6.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 188W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CSD18503KCS引脚图
CSD18503KCS封装图
CSD18503KCS封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD18503KCS | TI 德州仪器 | 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET... | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD18503KCS 品牌： TI 德州仪器 封装： TO-220-3 N-CH 40V 100A | 当前型号 | 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET... | 当前型号 |
| 型号： CSD18504KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220-3 N-Channel 40V 100A | 类似代替 | 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD18503KCS和CSD18504KCS的区别 |
| 型号： CSD18510KCS 品牌： 德州仪器 封装： | 功能相似 | 40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、TO-220、1.7mΩ 3-TO-220 -55 to 175 | CSD18503KCS和CSD18510KCS的区别 |
