
针脚数 3
漏源极电阻 6.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 86 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 77A
输入电容Ciss 1262pF @12VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 86 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
高度 16 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown
制造应用 Industrial, Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PSMN8R0-40PS | NXP 恩智浦 | NXP PSMN8R0-40PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 40 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PSMN8R0-40PS 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-220AB N-Channel 40V 77A | 当前型号 | NXP PSMN8R0-40PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 40 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V | 当前型号 | |
型号: CSD18504KCS 品牌: 德州仪器 封装: TO-220-3 N-Channel 40V 100A | 功能相似 | 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | PSMN8R0-40PS和CSD18504KCS的区别 | |
型号: PHP101NQ04T,127 品牌: 恩智浦 封装: TO-220AB | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | PSMN8R0-40PS和PHP101NQ04T,127的区别 | |
型号: PHP101NQ04T 品牌: 恩智浦 封装: SOT-78 N-CH 40V 75A 2.02nF | 功能相似 | N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET | PSMN8R0-40PS和PHP101NQ04T的区别 |