FQB9N50CTM、FQB9N50TM、STB11NK50ZT4对比区别

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型号 FQB9N50CTM FQB9N50TM STB11NK50ZT4

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB9N50CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 VN沟道 500V 9ASTMICROELECTRONICS  STB11NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 9.00 A 9.00 A 10.0 A

漏源极电阻 0.65 Ω 730 mΩ 0.48 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 135 W 3.13W (Ta), 147W (Tc) 125 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.00 A 4.50 A

输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 1450pF @25V(Vds) 1390pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 135 W 3.13 W 125 W

耗散功率(Max) 135W (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 125W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

阈值电压 2 V - 3.75 V

上升时间 65 ns - 18 ns

下降时间 64 ns - 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -