FQB9N50TM

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

N沟道 500V 9A

N-Channel 500 V 9A Tc 3.13W Ta, 147W Tc Surface Mount D2PAK TO-263

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N沟道 500V 9A

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MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

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Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

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500V N-Channel MOSFET

FQB9N50TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 9.00 A

漏源极电阻 730 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.13W Ta, 147W Tc

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

输入电容Ciss 1450pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

耗散功率Max 3.13W Ta, 147W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB9N50TM引脚图与封装图

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替代型号FQB9N50TM

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： FQB9N50TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童封装： TO-263 N-Channel 500V 9A 730mohms	当前型号	N沟道 500V 9A	当前型号
型号： FQB9N50CTM 品牌：飞兆/仙童封装： TO-263 N-Channel 500V 9A 800mohms	类似代替	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB9N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V	FQB9N50TM和FQB9N50CTM的区别
型号： FQB9N50CFTM 品牌：飞兆/仙童封装： TO-263-3 N-Channel 500V 9A 700mohms 1.03nF	类似代替	500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET	FQB9N50TM和FQB9N50CFTM的区别
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