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STB11NK50ZT4

STB11NK50ZT4

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STMICROELECTRONICS  STB11NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 V

The is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST"s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.

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Extremely high dV/dt capability
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100% Avalanche tested
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Gate charge minimized
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Very low intrinsic capacitances
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-55 to 150°C Operating junction temperature range
STB11NK50ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 10.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.48 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1390pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB11NK50ZT4引脚图与封装图
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STB11NK50ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB11NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STB11NK50ZT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STB11NK50ZT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： D2PAK N-Channel 500V 4.5A 480mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB11NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

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封装： TO-263-3 N-Channel

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