FQB9N50CTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB9N50CTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 9.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.65 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 135 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 1030pF @25VVds
额定功率Max 135 W
下降时间 64 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB9N50CTM引脚图与封装图
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在线购买FQB9N50CTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB9N50CTM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB9N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号FQB9N50CTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB9N50CTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 500V 9A 800mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB9N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： FQB9N50CFTM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 N-Channel 500V 9A 700mohms 1.03nF | 类似代替 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | FQB9N50CTM和FQB9N50CFTM的区别 |
| 型号： FQB9N50TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 500V 9A 730mohms | 类似代替 | N沟道 500V 9A | FQB9N50CTM和FQB9N50TM的区别 |
| 型号： FQB9N50CFTM_WS 品牌： 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-CH 500V 9A | 类似代替 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | FQB9N50CTM和FQB9N50CFTM_WS的区别 |