BC856BWT1G、BC856T,115、BC856BWE6327BTSA1对比区别

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型号 BC856BWT1G BC856T,115 BC856BWE6327BTSA1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFETO-236AB PNP 65V 0.1ASOT-323 PNP 65V 0.1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-3 SOT-416 SOT-323-3

引脚数 3 3 -

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 250 mW

耗散功率(Max) 150 mW - 250 mW

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) -65.0 V - -

额定电流 -100 mA - -

针脚数 3 - -

耗散功率 150 mW 0.25 W -

直流电流增益(hFE) 150 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SC-70-3 SOT-416 SOT-323-3

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 0.9 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -