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BC856BWT1G

BC856BWT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE

小信号 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3


立创商城:
BC856BWT1G


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 80V PNP


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE


艾睿:
Look no further than ON Semiconductor&s;s PNP BC856BWT1G general purpose bipolar junction transistor, which can easily operate in high voltage ranges. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It has a maximum collector emitter voltage of 65 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi BC856BWT1G PNP Bipolar Transistor, 0.1 A, 65 V, 3-Pin SC-70


安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE


DeviceMart:
TRANS PNP GP 65V 100MA SOT-323


Win Source:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323


BC856BWT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC856BWT1G引脚图与封装图
BC856BWT1G引脚图

BC856BWT1G引脚图

BC856BWT1G封装焊盘图

BC856BWT1G封装焊盘图

在线购买BC856BWT1G
型号 制造商 描述 购买
BC856BWT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE 搜索库存
替代型号BC856BWT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC856BWT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-323 PNP -65V -100mA 150mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE

当前型号

型号: SBC856BWT1G

品牌: 安森美

封装: SC-70-3 PNP 150mW

类似代替

单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFE

BC856BWT1G和SBC856BWT1G的区别

型号: BC856BWT1

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP 65V 100mA

类似代替

通用晶体管( PNP硅) General Purpose TransistorsPNP Silicon

BC856BWT1G和BC856BWT1的区别

型号: BC856BW-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-323 65V 100mA 200mW

功能相似

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R

BC856BWT1G和BC856BW-7-F的区别