BC856T,115

NXP(恩智浦) 分立器件

TO-236AB PNP 65V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 65V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-75

得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SC75

艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

BC856T,115中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC856T,115引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BC856T,115	NXP 恩智浦	TO-236AB PNP 65V 0.1A	搜索库存

替代型号BC856T,115

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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