FQD2N60CTF、FQD2N60CTM、STD2HNK60Z对比区别

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型号 FQD2N60CTF FQD2N60CTM STD2HNK60Z

描述 N沟道MOSFET QFET® N-Channel QFET® MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N60CTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 VN沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 1.90 A 1.90 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 4.7 Ω 3.6 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 44 W 45000 mW

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 235 pF 235 pF -

栅电荷 12.0 nC 12.0 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.90 mA 1.90 A -

上升时间 25 ns 25 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 235pF @25V(Vds) 235pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 45 W

下降时间 28 ns 28 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 45W (Tc)

针脚数 - 3 -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99