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STD2HNK60Z

STD2HNK60Z

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N沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3


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MOSFET N-CH 600V 2A DPAK


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N沟道 600V 2A


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Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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600V,4.4Ω,2A,N沟道功率MOSFET


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MOSFET N-CH 600V 2A DPAK


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MOSFET N-CH 600V 2A DPAK


STD2HNK60Z中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 45000 mW

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 280pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD2HNK60Z引脚图与封装图
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在线购买STD2HNK60Z
型号 制造商 描述 购买
STD2HNK60Z ST Microelectronics 意法半导体 N沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET 搜索库存
替代型号STD2HNK60Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD2HNK60Z

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： DPAK N-Channel

当前型号

N沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

当前型号

型号： FQD2N60CTM

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 600V 1.9A 3.6ohms 235pF

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STD2HNK60Z和FQD2N60CTM的区别

型号： FQD2N60CTF

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 600V 1.9mA 4.7ohms 235pF

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封装： TO-252-3 N-Channel 600V 2A

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