FQD2N60CTF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD2N60CTF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 1.90 A
通道数 1
漏源极电阻 4.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 235 pF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.90 mA
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 235pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD2N60CTF引脚图与封装图
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在线购买FQD2N60CTF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD2N60CTF | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET QFET® N-Channel QFET® MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQD2N60CTF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD2N60CTF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 600V 1.9mA 4.7ohms 235pF | 当前型号 | N沟道MOSFET QFET® N-Channel QFET® MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQD2N60CTM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 600V 1.9A 3.6ohms 235pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V | FQD2N60CTF和FQD2N60CTM的区别 |
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