CSD19532Q5B、CSD19537Q3、CSD19531Q5A对比区别
型号 CSD19532Q5B CSD19537Q3 CSD19531Q5A
描述 N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19532Q5BCSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8 VSON-FET-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.004 Ω - 0.0053 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 3.1 W 2.8 W 3.3 W
阈值电压 2.6 V - 2.7 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 100A 50A 100A
上升时间 6 ns 3 ns 5.8 ns
输入电容(Ciss) 4810pF @50V(Vds) 1680pF @50V(Vds) 3870pF @50V(Vds)
下降时间 6 ns 3 ns 5.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 2.8W (Ta), 83W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 100 V - -
封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8 VSON-FET-8
长度 6 mm 3.3 mm -
宽度 5 mm 3.3 mm -
高度 1 mm 1 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -