通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 4810pF @50VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
CSD19532Q5B引脚图
CSD19532Q5B封装图
CSD19532Q5B封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD19532Q5B | TI 德州仪器 | N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19532Q5B | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD19532Q5B 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON N-Channel 100V 100A | 当前型号 | N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19532Q5B | 当前型号 |
| 型号： CSD19532Q5BT 品牌： 德州仪器 封装： | 完全替代 | 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.9mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 | CSD19532Q5B和CSD19532Q5BT的区别 |
| 型号： CSD19537Q3 品牌： 德州仪器 封装： VSON-8 N-CH 100V 50A | 类似代替 | CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET | CSD19532Q5B和CSD19537Q3的区别 |
| 型号： CSD19531KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220 N-Channel 100V 100A | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3 | CSD19532Q5B和CSD19531KCS的区别 |
