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CSD22202W15、CSD22204W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD22202W15 CSD22204W

描述 P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD22202W15CSD22204W 8V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 9 9

封装 DSBGA-9 BGA-9

极性 P-CH P-CH

耗散功率 1.5 W 1.7 W

漏源极电压(Vds) 8 V 8 V

连续漏极电流(Ids) 10A 5A

上升时间 8.4 ns 600 ns

输入电容(Ciss) 1390pF @4V(Vds) 1130pF @4V(Vds)

下降时间 38 ns 2290 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.5W (Ta) 1.7W (Ta)

长度 1.5 mm -

宽度 1.5 mm -

高度 0.62 mm -

封装 DSBGA-9 BGA-9

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -