极性 P-CH
耗散功率 1.7 W
漏源极电压Vds 8 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 600 ns
输入电容Ciss 1130pF @4VVds
下降时间 2290 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.7W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 BGA-9
封装 BGA-9
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CSD22204W封装图
CSD22204W封装焊盘图
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD22204W 品牌： TI 德州仪器 封装： BGA-9 P-CH 8V 5A | 当前型号 | CSD22204W 8V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD22202W15 品牌： 德州仪器 封装： DSBGA-9 P-CH 8V 10A | 功能相似 | P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15 | CSD22204W和CSD22202W15的区别 |
| 型号： CSD22205L 品牌： 德州仪器 封装： | 功能相似 | -8V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 1.2x1.2、9.9mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150 | CSD22204W和CSD22205L的区别 |
| 型号： CSD22206W 品牌： 德州仪器 封装： | 功能相似 | -8V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、WLP 1.5x1.5、5.7mΩ 9-DSBGA -55 to 150 | CSD22204W和CSD22206W的区别 |
