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CSD22202W15

CSD22202W15

TI(德州仪器) 分立器件

P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD22202W15

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

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低电阻
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小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
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无铅
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栅极静电放电 ESD 保护
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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栅 - 源电压钳位

## 应用范围

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电池管理
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电池保护
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负载开关应用

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CSD22202W15中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 8 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 8.4 ns

输入电容Ciss 1390pF @4VVds

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 DSBGA-9

外形尺寸

长度 1.5 mm

宽度 1.5 mm

高度 0.62 mm

封装 DSBGA-9

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD22202W15引脚图与封装图
CSD22202W15引脚图

CSD22202W15引脚图

CSD22202W15封装图

CSD22202W15封装图

CSD22202W15封装焊盘图

CSD22202W15封装焊盘图

在线购买CSD22202W15
型号 制造商 描述 购买
CSD22202W15 TI 德州仪器 P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD22202W15 搜索库存
替代型号CSD22202W15
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD22202W15

品牌: TI 德州仪器

封装: DSBGA-9 P-CH 8V 10A

当前型号

P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD22202W15

当前型号

型号: CSD22204W

品牌: 德州仪器

封装: BGA-9 P-CH 8V 5A

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