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2N5191G、BD439、2N5192对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5191G BD439 2N5192

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N5191G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 2 hFESTMICROELECTRONICS  BD439  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFESTMICROELECTRONICS  2N5192  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 80 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 SOT-32 SOT-32-3

频率 2 MHz - 2 MHz

额定电压(DC) 60.0 V - 80.0 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 40 W 36 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V - 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1.5A, 2V 25 20 @1.5A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 100 - 80

额定功率(Max) 40 W - 40 W

直流电流增益(hFE) 2 140 80

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 36000 mW 40000 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

集电极最大允许电流 4A - -

长度 - - 7.8 mm

宽度 - - 2.7 mm

高度 - - 10.8 mm

封装 TO-126-3 SOT-32 SOT-32-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -