BD439
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ST Microelectronics
意法半导体
分立器件
BD439中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 36 W
最小电流放大倍数hFE 25
直流电流增益hFE 140
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 36000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-32
外形尺寸
封装 SOT-32
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BD439引脚图与封装图
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在线购买BD439
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD439 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS BD439 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFE | 搜索库存 |
替代型号BD439
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD439 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOT-32 NPN 36W | 当前型号 | STMICROELECTRONICS BD439 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFE | 当前型号 |
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| 型号： BD439G 品牌： 安森美 封装： TO-225-3 NPN 60V 4A 36000mW | 功能相似 | 塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor | BD439和BD439G的区别 |