2N7002ET1G、TP5322K1-G、2N7002E-T1-E3对比区别

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型号 2N7002ET1G TP5322K1-G 2N7002E-T1-E3

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 VSOT-23P-CH 220V 0.12AVISHAY  2N7002E-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.86 Ω 12 Ω 3 Ω

极性 N-Channel P-CH N-Channel

耗散功率 420 mW 0.36 W 350 mW

阈值电压 1 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 220 V 60 V

漏源击穿电压 - 220 V 70.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 310 mA 0.12A 240 mA

输入电容(Ciss) 26.7pF @25V(Vds) 110pF @25V(Vds) 21pF @5V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 360mW (Ta) 350 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 1 -

输入电容 26.7 pF - -

上升时间 1.2 ns 15 ns -

正向电压(Max) 1.2 V - -

额定功率(Max) 300 mW - -

下降时间 3.6 ns 15 ns -

额定功率 - 0.36 W -

高度 0.94 mm 0.95 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -