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TP5322K1-G

TP5322K1-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 分立器件

SOT-23P-CH 220V 0.12A

P-Channel 220V 120mA Tj 360mW Ta Surface Mount TO-236AB SOT23


得捷:
MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3


立创商城:
TP5322K1-G


贸泽:
MOSFET 220V 12 Ohm 0.7A


艾睿:
Use Microchip Technology&s;s TP5322K1-G power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 360 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 360mW; SOT23-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R


TP5322K1-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.36 W

通道数 1

漏源极电阻 12 Ω

极性 P-CH

耗散功率 0.36 W

漏源极电压Vds 220 V

漏源击穿电压 220 V

连续漏极电流Ids 0.12A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 110pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 360mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

TP5322K1-G引脚图与封装图
TP5322K1-G引脚图

TP5322K1-G引脚图

TP5322K1-G封装图

TP5322K1-G封装图

TP5322K1-G封装焊盘图

TP5322K1-G封装焊盘图

在线购买TP5322K1-G
型号 制造商 描述 购买
TP5322K1-G Microchip 微芯 SOT-23P-CH 220V 0.12A 搜索库存
替代型号TP5322K1-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： TP5322K1-G

品牌： Microchip 微芯

封装： SOT-23-3 P-CH 220V 0.12A

当前型号

SOT-23P-CH 220V 0.12A

当前型号

型号： 2N7002ET1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V

TP5322K1-G和2N7002ET1G的区别

型号： DMG6968U-7

品牌： 美台

封装： SOT23-3 N-Channel 20V 6.5A

功能相似

DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3

TP5322K1-G和DMG6968U-7的区别

型号： MMBF170-7-F

品牌： 美台

封装： TO-236-3 N-Channel 60V 500mA 5.3Ω 40pF

功能相似

MMBF170-7-F 编带

TP5322K1-G和MMBF170-7-F的区别