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2N5457G、J105、2N5457对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5457G J105 2N5457

描述 JFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − DepletionFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J105  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFETN沟道通用放大器 N-Channel General Purpose Amplifier

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 10.0 mA 500 mA 10.0 mA

额定功率 - 625 mW -

击穿电压 - -25.0 V -25.0 V

漏源极电阻 2.00 mΩ 3 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 310 mW 625 mW 625 mW

漏源极电压(Vds) 25 V 25.0 V 25.0 V

栅源击穿电压 25.0 V 25.0 V 25 V

连续漏极电流(Ids) - 500 mA 3.00 mA

击穿电压 25 V 25 V 25 V

额定功率(Max) 310 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 135 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

输入电容(Ciss) 7pF @15V(Vds) - 7pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 310 mW - 625 mW

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 135℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99