2N5457G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 10.0 mA
漏源极电阻 2.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 310 mW
漏源极电压Vds 25 V
栅源击穿电压 25.0 V
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 310 mW
工作温度Max 135 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 135℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N5457G引脚图与封装图
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在线购买2N5457G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5457G | ON Semiconductor 安森美 | JFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion | 搜索库存 |
替代型号2N5457G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5457G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 25V 10mA 2mohms 310mW | 当前型号 | JFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion | 当前型号 |
| 型号： 2N5457 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 25V 10mA 310mW | 类似代替 | JFET的 - 通用 JFETs - General Purpose | 2N5457G和2N5457的区别 |
| 型号： J109 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 25V 40mA 12ohms 625mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J109 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 40 mA, 6 V, TO-92, JFET | 2N5457G和J109的区别 |
| 型号： J105 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 25V 500mA 3ohms 625mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR J105 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET | 2N5457G和J105的区别 |